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GermanySTF11N60M2-EP
元器件型号详细信息
原厂型号
STF11N60M2-EP
摘要
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
详情
通孔 N 通道 600 V 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M2-EP
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
595 毫欧 @ 3.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
390 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
STF11
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
STF11N60M2-EP-ND
497-STF11N60M2-EP
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STF11N60M2-EP
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规格书
1(STF11N60M2-EP)
PCN 设计/规格
1(Gate threshold voltage 10/Apr/2018)
HTML 规格书
1(STF11N60M2-EP)
EDA 模型
1(STF11N60M2-EP by Ultra Librarian)
价格
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