元器件型号详细信息

原厂型号
STI18N65M5
摘要
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
详情
通孔 N 通道 650 V 15A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ V
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
220 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
31 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1240 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
基本产品编号
STI18N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-13272-5
-497-13272-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STI18N65M5

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规格书
1(STx18N65M5)
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1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Aug/2014)
HTML 规格书
1(STx18N65M5)
EDA 模型
1(STI18N65M5 by Ultra Librarian)

价格

数量: 100
单价: $24.0286
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $29.327
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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