English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXTH52N65X
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTH52N65X
摘要
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
详情
通孔 N 通道 650 V 52A（Tc） 660W（Tc） TO-247（IXTH）
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
62 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
Ultra X
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4350 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
660W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247（IXTH）
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXTH52
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTH52N65X
相关文档
规格书
1(IXTH52N65X)
HTML 规格书
1(IXTH52N65X)
EDA 模型
1(IXTH52N65X by Ultra Librarian)
价格
数量: 30
单价: $79.55467
包装: 管件
最小包装数量: 30
包装: 管件
最小包装数量: 30
替代型号
型号 : STW57N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 504
单价. : ¥96.91000
替代类型. : 类似
库存 : 504
单价. : ¥96.91000
替代类型. : 类似
型号 : FCH47N60N
制造商 : onsemi
库存 : 18
单价. : ¥96.19000
替代类型. : 类似
库存 : 18
单价. : ¥96.19000
替代类型. : 类似
型号 : IPW60R060P7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 206
单价. : ¥59.47000
替代类型. : 类似
库存 : 206
单价. : ¥59.47000
替代类型. : 类似
型号 : STW56N65DM2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 385
单价. : ¥93.01000
替代类型. : 类似
库存 : 385
单价. : ¥93.01000
替代类型. : 类似