元器件型号详细信息

原厂型号
FF800R12KE3NOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 1200A 3900W
详情
IGBT 模块 单路 1200 V 1200 A 3900 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
-
配置
单路
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1200 A
功率 - 最大值
3900 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值)
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
57 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FF800R12

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-FF800R12KE3NOSA1
SP000100571
FF800R12KE3-ND
IFEINFFF800R12KE3NOSA1
FF800R12KE3

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FF800R12KE3NOSA1

相关文档

规格书
1(FF800R12KE3)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 3/Dec/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Material Chgs 27/Feb/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Source Add 10/Sep/2018)
PCN 封装
1(Mult Dev Label Des Chg 26/Feb/2019)
HTML 规格书
1(FF800R12KE3)

价格

-

替代型号

型号 : FF900R12IE4BOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3
单价. : ¥5,095.09000
替代类型. : 类似