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GermanySI4532DY
元器件型号详细信息
原厂型号
SI4532DY
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 3.9A，3.5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A，3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
SI4532
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SI4532DYDKR
SI4532DY-ND
SI4532DYTR
SI4532DYCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi SI4532DY
相关文档
规格书
1(SI4532DY)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Korea Fab Site Add 3/Jan/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(SI4532DY)
价格
数量: 12500
单价: $4.06848
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $4.2274
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $4.44989
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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包装: 剪切带（CT）
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IRF7309TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 18,968
单价. : ¥8.27000
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