SPD50N03S207GBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPD50N03S207GBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

7.3 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 85µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

46.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2170 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

136W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

SPD50N

其它名称

SPD50N03S207GBTMA1TR

SPD50N03S2-07 GDKR

SP000443920

SPD50N03S2-07 GTR-ND

SPD50N03S207GBTMA1CT

SPD50N03S2-07 GCT-ND

SPD50N03S207GBTMA1DKR

SPD50N03S207G

SPD50N03S2-07 GCT

SPD50N03S2-07 GDKR-ND

SPD50N03S2-07 G

SPD50N03S2-07 G-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPD50N03S207GBTMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPD50N03S207ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥9.56624
替代类型. : 直接

型号 : IRFR3709ZTRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 8
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似

型号 : IRLR8726TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 22,435
单价. : ¥5.09000
替代类型. : 类似

型号 : FDD8896

制造商 : onsemi
库存 : 41,368
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 类似

型号 : DMG8880LK3-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : STD100N3LF3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 479
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似

型号 : TSM060N03CP ROG

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 15
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似

DTS24W23-35JA 1903146-3 223041-8 191930143 8.0SMDJ12A-T7

SPD50N03S207GBTMA1

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