English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBUK662R7-55C,118
元器件型号详细信息
原厂型号
BUK662R7-55C,118
摘要
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
258 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
306W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
568-6900-1
BUK662R7-55C,118-ND
568-6900-2
1727-5433-6
568-6900-6-ND
568-6900-2-ND
568-6900-1-ND
1727-5433-1
2156-BUK662R7-55C,118-1727
1727-5433-2
BUK662R755C118
934064229118
568-6900-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. BUK662R7-55C,118
相关文档
规格书
1(BUK662R7-55C)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 03/Jul/2019)
PCN 设计/规格
1(Osiris Leadframe 09/Jun/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BUK662R7-55C)
价格
-
替代型号
型号 : FDB86566-F085
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 直接
型号 : IRFS3206TRRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,800
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
库存 : 6,800
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
型号 : STB150NF55T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
型号 : FDB031N08
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥53.82000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥53.82000
替代类型. : 类似
型号 : IRF3805STRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,142
单价. : ¥35.22000
替代类型. : 类似
库存 : 2,142
单价. : ¥35.22000
替代类型. : 类似
型号 : FDB035AN06A0
制造商 : onsemi
库存 : 6,139
单价. : ¥45.55000
替代类型. : 类似
库存 : 6,139
单价. : ¥45.55000
替代类型. : 类似