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GermanyIPB120N04S3-02
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB120N04S3-02
摘要
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB120N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB120N04S3-02TR
IPB120N04S3-02-ND
IPB120N04S302ATMA1
IPB120N04S3-02DKR
IPB120N04S3-02CT
IPB120N04S302
SP000261216
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB120N04S3-02
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规格书
1(IPx120N04S3-02)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Jul/2015)
HTML 规格书
1(IPx120N04S3-02)
价格
-
替代型号
型号 : IPB120N04S402ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 907
单价. : ¥25.76000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥25.76000
替代类型. : 类似
型号 : STB100NF04T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥15.04034
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥15.04034
替代类型. : 直接
型号 : PSMN2R2-40BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.33834
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥10.33834
替代类型. : 类似
型号 : STB270N4F3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,990
单价. : ¥36.73000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥36.73000
替代类型. : 类似
型号 : BUK661R9-40C,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,195
单价. : ¥26.87000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥26.87000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN1R1-40BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 81
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 类似
库存 : 81
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 类似