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GermanyIRFB3077PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFB3077PBF
摘要
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详情
通孔 N 通道 75 V 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9400 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
370W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB3077
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFIRFB3077PBF
2156-IRFB3077PBFINF
64-0091PBF-ND
SP001575594
64-0091PBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFB3077PBF
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规格书
1(IRFB3077PBF Datasheet)
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产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
环保信息
1(RoHS Certificate)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
HTML 规格书
1(IRFB3077PBF Datasheet)
EDA 模型
()
仿真模型
1(IRFB3077PBF Saber Model)
价格
数量: 2000
单价: $18.96374
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $19.9618
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $23.6691
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $27.8037
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $33.937
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $37.76
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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