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元器件型号详细信息
原厂型号
TW070J120B,S1Q
摘要
SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
详情
通孔 N 通道 1200 V 36A（Tc） 272W（Tc） TO-3P（N）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
25
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 18A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.8V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1680 pF @ 800 V
FET 功能
标准
功率耗散（最大值）
272W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P（N）
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
基本产品编号
TW070J120
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B,S1Q
相关文档
规格书
1(TW070J120B)
视频文件
1(SiC FET | Datasheet Preview)
特色产品
1(TW070J120B SiC MOSFET)
EDA 模型
1(TW070J120B,S1Q by Ultra Librarian)
价格
数量: 100
单价: $203.0006
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $237.724
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $257.73
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-