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GermanyFF08MR12W1MA1B11ABPSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
摘要
EASY PACK
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 150A（Tj） 20mW（Tc） 底座安装 AG-EASY1BM-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
24
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包装
托盘
Product Status
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.8 毫欧 @ 150A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.55V @ 90mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
450nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
16000pF @ 600V
功率 - 最大值
20mW（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-EASY1BM-2
基本产品编号
FF08MR12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP002314006
448-FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
相关文档
规格书
1(FF08MR12W1MA1_B11A)
PCN 设计/规格
()
价格
数量: 1
单价: $2854.7
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
-