元器件型号详细信息

原厂型号
MCH6663-TL-W
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
详情
MOSFET - 阵列 30V 1.8A,1.5A 800mW 表面贴装型 SC-88FL/MCPH6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A,1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
188 毫欧 @ 900mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
88pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-88FL/MCPH6
基本产品编号
MCH6663

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

MCH6663-TL-WOSCT
MCH6663-TL-WOSDKR
MCH6663-TL-WOSTR
2156-MCH6663-TL-W-OS
MCH6663-TL-W-ND
ONSONSMCH6663-TL-W

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi MCH6663-TL-W

相关文档

规格书
1(MCH6663)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)

价格

-

替代型号

-