TPN1R603PL,L1Q

元器件型号详细信息

原厂型号

TPN1R603PL,L1Q

摘要

MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）

原厂/品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

U-MOSIX-H

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.6 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 300µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3900 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

104W（Tc）

工作温度

175°C

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-TSON Advance（3.1x3.1）

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

TPN1R603

其它名称

TPN1R603PLL1QDKR

TPN1R603PL,L1Q(M

TPN1R603PLL1QCT

TPN1R603PLL1QTR

TPN1R603PLL1Q

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPN1R603PL,L1Q

价格

数量: 25000

单价: $2.70678
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 10000

单价: $2.73528
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 5000

单价: $2.84212
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $2.99171
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.2054
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.06018
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.9146
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.304
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.08
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $2.99171
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.2054
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.06018
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.9146
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.304
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.08
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

MAX5969BETB+T FL1M-8CW-4-Y24V CW01015R00JR69 DW-01-10-G-S-550 MTLW-125-06-G-D-002

TPN1R603PL,L1Q

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