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20250409
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元器件资讯
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CY14B104L-BA25XC
元器件型号详细信息
原厂型号
CY14B104L-BA25XC
摘要
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
详情
NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb 并联 25 ns 48-FBGA(6x10)
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
299
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
存储器类型
非易失
存储器格式
NVSRAM
技术
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量
4Mb
存储器组织
512K x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字,页
25ns
访问时间
25 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
48-TFBGA
供应商器件封装
48-FBGA(6x10)
基本产品编号
CY14B104
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
2156-CY14B104L-BA25XC-CY
CYPCYPCY14B104L-BA25XC
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Infineon Technologies CY14B104L-BA25XC
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