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GermanyFP25R12KE3BOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FP25R12KE3BOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 40A 155W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 40 A 155 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
散装
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
功率 - 最大值
155 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.15V @ 15V，25A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1.8 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FP25R12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FP25R12KE3-ND
2156-FP25R12KE3BOSA1
FP25R12KE3
SP000100411
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FP25R12KE3BOSA1
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规格书
1(FP25R12KE3)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Add 23/Nov/2018)
PCN 封装
1(Mult Dev Ship Pkg Chg 28/May/2020)
HTML 规格书
1(FP25R12KE3)
价格
-
替代型号
-