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GermanyFDS8962C
元器件型号详细信息
原厂型号
FDS8962C
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 7A，5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A，5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
575pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
FDS89
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
FDS8962C-ND
FDS8962CCT
FDS8962CTR
FDS8962CDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDS8962C
相关文档
规格书
1(FDS8962C)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 27/Feb/2012)
PCN 设计/规格
1(Mold Compound 12/Dec/2007)
HTML 规格书
1(FDS8962C)
EDA 模型
1(FDS8962C by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDS8958A
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥6.88000
替代类型. : 直接
库存 : 0
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型号 : SP8M10FRATB
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 1,193
单价. : ¥13.77000
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型号 : IRF9389TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,991
单价. : ¥5.43000
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型号 : DMC3028LSD-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.45000
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库存 : 0
单价. : ¥4.45000
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型号 : DMC3032LSD-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥3.73000
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库存 : 0
单价. : ¥3.73000
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