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GermanyNGTB40N65IHL2WG
元器件型号详细信息
原厂型号
NGTB40N65IHL2WG
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 300 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，40A
功率 - 最大值
300 W
开关能量
360µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
135 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-/140ns
测试条件
400V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
465 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
NGTB40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2832-NGTB40N65IHL2WG
NGTB40N65IHL2WGOS
2156-NGTB40N65IHL2WG-OS
NGTB40N65IHL2WG-ND
ONSONSNGTB40N65IHL2WG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGTB40N65IHL2WG
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规格书
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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(FPCN20461X 27/nov/2015)
PCN 组装/来源
1(Contact mask change 11/Jun/2021)
HTML 规格书
1(NGTB40N65IHL2WG)
EDA 模型
1(NGTB40N65IHL2WG by SnapEDA)
价格
-
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