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Germany1N5255A (DO-35)
元器件型号详细信息
原厂型号
1N5255A (DO-35)
摘要
DIODE ZENER 28V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 28 V 500 mW ±10% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
28 V
容差
±10%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
44 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
1N5255
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
1N5255BMSTR
1N5255A (DO-35)CTINACTIVE-NDR
1N5255A(DO-35)TRINACTIVE
1N5255A(DO-35)TR
1N5255A (DO-35)TR
1N5255ADO35MSCT
1N5255A (DO
1N5255BMSTR-ND
1N5255A (DO-35)TRINACT
1N5255BMSCT-ND
1N5255DO35MSTR-ND
1N5255A(DO-35)TR-ND
1N5255A(DO-35)CT-ND
1N5255DO35MSCT-ND
1N5255ADO3
1N5255A (DO-35)TR-ND
150-1N5255A(DO-35)CT
1N5255A (DO-35)CT
1N5255ADO35MSTR
1N5255DO35
1N5255DO35MSCT
1N5255A (DO-35)CT-ND
1N5255A (DO-35)CT-NDR
1N5255A(DO-35)CTINACTIVE-NDR
150-1N5255A(DO-35)TR
1N5255DO35MSTR
1N5255BMSCT
1N5255A(DO-35)TRINACTIVE-NDR
1N5255A(DO-35)CTINACTIVE
1N5255ADO35MSTR-ND
1N5255A(DO-35)CT
1N5255ADO35MSCT-ND
1N5255DO35MSTR-NDR
1N5255A (DO-35)TR-NDR
1N5255A (DO-35)TRINACTIVE-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Microchip Technology 1N5255A (DO-35)
相关文档
规格书
1(1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35)
环保信息
()
价格
-
替代型号
型号 : 1N5254B TR PBFREE
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替代类型. : 参数等效
型号 : 1N5255B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,980
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 参数等效
库存 : 29,980
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 参数等效