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GermanySSM6P47NU,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6P47NU,LF
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
详情
MOSFET - 阵列 20V 4A 1W 表面贴装型 6-µDFN（2x2）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
95 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290pF @ 10V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-µDFN（2x2）
基本产品编号
SSM6P47
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SSM6P47NULFCT
SSM6P47NULF(TCT-ND
SSM6P47NU,LF(B
SSM6P47NULFTR
SSM6P47NULF(TTR-ND
SSM6P47NULF(TDKR-ND
SSM6P47NULF(TCT
SSM6P47NULF(TDKR
SSM6P47NULF(TTR
SSM6P47NULFDKR
SSM6P47NU,LF(T
SSM6P47NULF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU,LF
相关文档
规格书
1(SSM6P47NU)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Jul/2014)
EDA 模型
1(SSM6P47NU by Ultra Librarian)
价格
数量: 75000
单价: $0.9516
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.96162
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.01421
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $1.08934
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $1.16445
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
-