PHN203,518

元器件型号详细信息

原厂型号

PHN203,518

摘要

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1

详情

MOSFET - 阵列 30V 6.3A 2W 表面贴装型 8-SO

原厂/品牌

Nexperia USA Inc.

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

TrenchMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N-通道（双）

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

30 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

14.6nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

560pF @ 20V

功率 - 最大值

2W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装

8-SO

基本产品编号

PHN203

其它名称

PHN203 /T3

PHN203 /T3-ND

934055442518

2156-PHN203518-NETR-ND

NEXNXPPHN203,518

2156-PHN203,518-ND

2156-PHN203518

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PHN203,518

价格

-

替代型号

型号 : ZXMN3G32DN8TA

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 9
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似

型号 : BSO220N03MDGXUMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 26,560
单价. : ¥7.39000
替代类型. : 类似

型号 : FDS8984

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥5.88000
替代类型. : 类似

型号 : FDS6912A

制造商 : onsemi
库存 : 1,500
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似

型号 : ZXMN3F31DN8TA

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 5,627
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似

型号 : FDS6930B

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥5.33000
替代类型. : 类似

型号 : FDS8978

制造商 : onsemi
库存 : 14,780
单价. : ¥8.03000
替代类型. : 类似

型号 : IRF7313TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 960
单价. : ¥7.31000
替代类型. : 类似

型号 : BSO150N03MDGXUMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 47,395
单价. : ¥9.78000
替代类型. : 类似

型号 : DMN3024LSD-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 102,973
单价. : ¥5.41000
替代类型. : 类似

型号 : AUIRF7313QTR

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,728
单价. : ¥20.91000
替代类型. : 类似

ECC13DKJT TBJC106K025LBLC0024 0039000181-12-V0-D MLE-124-01-G-DV-A-K CRGCQ0805J2M2

PHN203,518

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