IPL60R650P6SATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPL60R650P6SATMA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P6

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

650 毫欧 @ 2.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

12 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

557 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

56.8W（Tc）

工作温度

-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-ThinPak（5x6）

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

IPL60R650

其它名称

IPL60R650P6SATMA1DKR

ROCINFIPL60R650P6SATMA1

2156-IPL60R650P6SATMA1

SP001163080

IPL60R650P6SATMA1CT

IPL60R650P6SATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPL60R650P6SATMA1

价格

数量: 10000

单价: $5.63984
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 5000

单价: $5.78826
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $6.01088
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $6.45612
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.79186
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $9.4834
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.798
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $13.12
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $6.01088
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $6.45612
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.79186
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $9.4834
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.798
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $13.12
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

628-8W8-622-4N2 RN73R2BTTD6342F50 7789112010 C3BBS-1406M PBC24DFDN

IPL60R650P6SATMA1

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