English
Spain
Rusia
Italy
GermanySSM6L13TU(T5L,F,T)
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6L13TU(T5L,F,T)
摘要
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
详情
MOSFET - 阵列 20V 800mA（Ta） 500mW 表面贴装型 UF6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
143 毫欧 @ 600mA，4V，234 毫欧 @ 600mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
268pF @ 10V，250pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
UF6
基本产品编号
SSM6L13
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SSM6L13TU(T5L,F,T)-ND
SSM6L13TU(T5LFT)
SSM6L13TU(T5LFT)TR
SSM6L13TU(T5LFT)TR-ND
SSM6L13TUT5LFT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L13TU(T5L,F,T)
相关文档
规格书
1(SSM6L13TU)
价格
-
替代型号
-