元器件型号详细信息

原厂型号
BUK753R5-60E,127
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
114 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8920 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
293W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
BUK75

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

934066643127
NEXNXPBUK753R5-60E,127
BUK753R560E127
2156-BUK753R5-60E127-NX
568-9842-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/NXP USA Inc. BUK753R5-60E,127

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环保信息
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PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 29/Dec/2014)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)

价格

-

替代型号

型号 : AOT266L
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单价. : ¥19.24000
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库存 : 1,460
单价. : ¥30.05000
替代类型. : 类似
型号 : IPP037N06L3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 455
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 类似
型号 : IPP052N06L3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似
型号 : FDP050AN06A0
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制造商 : onsemi
库存 : 895
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制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥29.89000
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库存 : 2,618
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似
型号 : AOT264L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.16672
替代类型. : 类似
型号 : IPP040N06N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 500
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似