元器件型号详细信息

原厂型号
ZXM64N035GTA
摘要
MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 35 V 4.8A(Ta),6.7A(Tc) 2W(Ta) SOT-223-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
35 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A(Ta),6.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 3.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
950 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

ZXM64N035GTR-NDR
ZXM64N035GDKR-NDR
ZXM64N035GCT
ZXM64N035GDKR
ZXM64N035GCT-NDR
ZXM64N035GTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated ZXM64N035GTA

相关文档

规格书
1(ZXM64N035G MOSFET)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(ZXM64N035G MOSFET)
EDA 模型
1(ZXM64N035GTA by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : ZXMN4A06GTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥7.39000
替代类型. : 类似