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GermanyBQ4011YMA-200
元器件型号详细信息
原厂型号
BQ4011YMA-200
摘要
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
详情
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb 并联 200 ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
14
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
存储器类型
非易失
存储器格式
NVSRAM
技术
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
256Kb
存储器组织
32K x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
200ns
访问时间
200 ns
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
通孔
封装/外壳
28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
供应商器件封装
28-DIP 模块（18.42x37.72）
基本产品编号
BQ4011
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
2156-BQ4011YMA-200-TI
TEXTISBQ4011YMA-200
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Texas Instruments BQ4011YMA-200
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规格书
1(BQ4011(Y,LY))
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 04/Jun/2013)
HTML 规格书
1(BQ4011(Y,LY))
EDA 模型
1(BQ4011YMA-200 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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制造商 : Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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制造商 : Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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型号 : DS1230AB-70+
制造商 : Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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