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GermanyBG3130H6327XTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BG3130H6327XTSA1
摘要
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
详情
RF Mosfet 5 V 14 mA 800MHz 24dB PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET
配置
2 N-通道（双）
频率
800MHz
增益
24dB
电压 - 测试
5 V
额定电流（安培）
25mA
噪声系数
1.3dB
电流 - 测试
14 mA
功率 - 输出
-
电压 - 额定
8 V
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
基本产品编号
BG3130
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BG 3130 H6327-ND
2156-BG3130H6327XTSA1-ITTR
INFINFBG3130H6327XTSA1
SP000753494
BG3130H6327XTSA1TR
BG 3130 H6327
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/Infineon Technologies BG3130H6327XTSA1
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PCN 封装
()
HTML 规格书
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价格
-
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