元器件型号详细信息

原厂型号
AFT18H357-24NR6
摘要
IC TRANS RF LDMOS
详情
RF Mosfet 28 V 800 mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
150

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
LDMOS
配置
频率
1.81GHz
增益
17.5dB
电压 - 测试
28 V
额定电流(安培)
-
噪声系数
-
电流 - 测试
800 mA
功率 - 输出
63W
电压 - 额定
65 V
安装类型
底座安装
封装/外壳
OM-1230-4L2L
供应商器件封装
OM-1230-4L2L
基本产品编号
AFT18

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

其它名称

2832-AFT18H357-24NR6
935312802528

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/RF FET,MOSFET/NXP USA Inc. AFT18H357-24NR6

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规格书
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环保信息
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 18/Apr/2020)
PCN 封装
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HTML 规格书
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价格

-

替代型号

型号 : A3T18H360W23SR6
制造商 : NXP USA Inc.
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