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元器件型号详细信息
原厂型号
RJK6032DPH-E0#T2
摘要
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
详情
通孔 N 通道 600 V 3A（Ta） 40.3W（Tc） TO-251
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
285 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40.3W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-251
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc RJK6032DPH-E0#T2
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规格书
1(RJK6032DPH-E0#T2)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 15/Dec/2018)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(RJK6032DPH-E0#T2 by Ultra Librarian)
价格
-
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