元器件型号详细信息

原厂型号
CSD19503KCS
摘要
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详情
通孔 N 通道 80 V 100A(Ta) 188W(Tc) TO-220-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.2 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2730 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
188W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
CSD19503

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TEXTISCSD19503KCS
2156-CSD19503KCS
-296-37481-5-ND
296-37481-5
CSD19503KCS-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD19503KCS

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规格书
1(CSD19503KCS)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(Site Chg 04/Dec/2015)
制造商产品页面
1(CSD19503KCS Specifications)
HTML 规格书
1(CSD19503KCS)
EDA 模型
()

价格

数量: 10000
单价: $5.92109
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $6.07691
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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