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GermanyBSP170PL6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSP170PL6327HTSA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4-21
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
410 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4-21
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSP170PL6327INDKR
BSP170PL6327HTSA1TR
BSP170PL6327INTR
BSP170PL6327INDKR-ND
BSP170P L6327-ND
BSP170PL6327INTR-ND
BSP170PL6327INCT
INFINFBSP170PL6327HTSA1
BSP170PL6327XT
BSP170PL6327HTSA1CT
BSP170P L6327
BSP170PL6327INCT-ND
SP000089225
BSP170PL6327
BSP170PL6327HTSA1DKR
2156-BSP170PL6327HTSA1-ITTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP170PL6327HTSA1
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价格
-
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