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元器件型号详细信息
原厂型号
APT45GR65B2DU30
摘要
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详情
IGBT NPT 650 V 118 A 543 W 通孔 T-MAX™ [B2]
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
118 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
224 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，45A
功率 - 最大值
543 W
输入类型
标准
栅极电荷
203 nC
25°C 时 Td（开/关）值
15ns/100ns
测试条件
433V，45A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
80 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
基本产品编号
APT45GR65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APT45GR65B2DU30-ND
150-APT45GR65B2DU30
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microsemi Corporation APT45GR65B2DU30
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规格书
1(APT45GR65B2DU30)
环保信息
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HTML 规格书
1(APT45GR65B2DU30)
价格
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替代型号
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