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GermanyR6012FNX
元器件型号详细信息
原厂型号
R6012FNX
摘要
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
详情
通孔 N 通道 600 V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
510 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FM
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
R6012
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor R6012FNX
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1(R6012FNX)
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环保信息
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EDA 模型
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仿真模型
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价格
数量: 500
单价: $27.08976
包装: 散装
最小包装数量: 500
包装: 散装
最小包装数量: 500
替代型号
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