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Germany71V256S10YG
元器件型号详细信息
原厂型号
71V256S10YG
摘要
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
详情
SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb 并联 10 ns 28-SOJ
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
27
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 异步
存储容量
256Kb
存储器组织
32K x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
10ns
访问时间
10 ns
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装
28-SOJ
基本产品编号
71V256
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
IDT71V256S10YG-ND
IDT71V256S10YG
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc 71V256S10YG
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价格
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替代型号
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制造商 : Alliance Memory, Inc.
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