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20250528
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元器件资讯
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TH58BYG3S0HBAI6
元器件型号详细信息
原厂型号
TH58BYG3S0HBAI6
摘要
IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
详情
FLASH - NAND(SLC) 存储器 IC 8Gb 67-VFBGA(6.5x8)
原厂/品牌
Kioxia America, Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
338
供应商库存
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技术参数
制造商
Kioxia America, Inc.
系列
Benand™
包装
托盘
产品状态
在售
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NAND(SLC)
存储容量
8Gb
存储器组织
1G x 8
存储器接口
-
写周期时间 - 字,页
25ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
67-VFBGA
供应商器件封装
67-VFBGA(6.5x8)
基本产品编号
TH58BYG3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0051
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Kioxia America, Inc. TH58BYG3S0HBAI6
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规格书
1(TH58BYG3S0HBAI6)
价格
-
替代型号
-
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