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GermanyNE85633-T1B-R25-A
元器件型号详细信息
原厂型号
NE85633-T1B-R25-A
摘要
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
详情
RF 晶体管 NPN 12V 100mA 7GHz 200mW 表面贴装型 SOT-23-3
原厂/品牌
CEL
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
CEL
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
频率 - 跃迁
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
1.1dB @ 1GHz
增益
11.5dB
功率 - 最大值
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
125 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
基本产品编号
NE85633
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
NE85633-T1B-R25-ACT
NE85633-T1B-R25-ATR
NE85633-T1B-R25-A-ND
NE85633T1BR25A
NE85633-T1B-R25-ADKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/CEL NE85633-T1B-R25-A
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规格书
1(NE85633, 2SC3356)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015)
价格
-
替代型号
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库存 : 55,671
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