1N6000A

元器件型号详细信息

原厂型号

1N6000A

摘要

DIODE ZENER 10V 500MW DO35

详情

二极管 - 齐纳 10 V 500 mW ±10% 通孔 DO-35

原厂/品牌

Microchip Technology

原厂到货时间

20 周

EDA/CAD 模型

标准包装

供应商库存

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技术参数

制造商

Microchip Technology

系列

-

包装

散装

产品状态

在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)

10 V

容差

±10%

功率 - 最大值

500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)

22 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

500 nA @ 6.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

工作温度

-65°C ~ 175°C

安装类型

通孔

封装/外壳

DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装

DO-35

基本产品编号

1N6000

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Microchip Technology 1N6000A

价格

数量: 477

单价: $15.86015
包装: 散装
最小包装数量: 477

替代型号

型号 : BZV85-C10,133

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 9,970
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似

型号 : BZX79C10

制造商 : onsemi
库存 : 10,237
单价. : ¥1.99000
替代类型. : 类似

型号 : 1N5240B-TAP

制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 61,122
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似

型号 : 1N5240BTR

制造商 : onsemi
库存 : 51,996
单价. : ¥1.27000
替代类型. : 类似

型号 : 1N4104 TR PBFREE

制造商 : Central Semiconductor Corp
库存 : 12,638
单价. : ¥4.93000
替代类型. : 类似

型号 : BZX55C10-TR

制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 57,220
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似

型号 : BZX55B10-TR

制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 4,466
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似

型号 : BZX55B10-TAP

制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 33,741
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似

型号 : BZX79-B10,133

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 14,243
单价. : ¥1.67000
替代类型. : 类似

型号 : BZX79C10-T50A

制造商 : onsemi
库存 : 12,914
单价. : ¥1.59000
替代类型. : 类似

型号 : BZX55C10-TAP

制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 37,988
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似

型号 : ZPY10-TAP

制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 4,669
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似

型号 : 1N758A TR TIN/LEAD

制造商 : Central Semiconductor Corp
库存 : 3,742
单价. : ¥3.58000
替代类型. : 类似

CFM-9238B-140-473 MCR10EZPF2152 031-220N-75-12G LM4040B50IDBZT CPS19-NC00A10-SNCSNCNF-RI0CBVAR-W1053-S

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