English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBC856BS/DG/B4X
元器件型号详细信息
原厂型号
BC856BS/DG/B4X
摘要
TRANSISTOR GEN PURP
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 65V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装型 6-TSSOP
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
65V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
基本产品编号
BC856
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Nexperia USA Inc. BC856BS/DG/B4X
相关文档
规格书
1(BC856BS)
PCN 封装
1(All Dev Label Chgs 2/Aug/2020)
HTML 规格书
1(BC856BS)
价格
-
替代型号
-