BSC900N20NS3GATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

BSC900N20NS3GATMA1

摘要

MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8

详情

表面贴装型 N 通道 200 V 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8-5

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

48 周

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

15.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

90 毫欧 @ 7.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

11.6 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

920 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

62.5W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-5

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

BSC900

其它名称

BSC900N20NS3GATMA1TR

BSC900N20NS3GTR

BSC900N20NS3GTR-ND

BSC900N20NS3GCT-ND

BSC900N20NS3GCT

BSC900N20NS3GATMA1CT

BSC900N20NS3 G

SP000781780

BSC900N20NS3GATMA1DKR

BSC900N20NS3GDKR

BSC900N20NS3G

BSC900N20NS3GDKR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC900N20NS3GATMA1

价格

数量: 10000

单价: $7.0186
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 5000

单价: $7.20331
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $7.48034
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $8.03449
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $9.69682
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $11.8024
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $14.683
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $16.38
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $7.48034
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $8.03449
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $9.69682
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $11.8024
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $14.683
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $16.38
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : BSZ900N20NS3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 24,957
单价. : ¥16.38000
替代类型. : 参数等效

ARJ11B-MASAU-LU2 EEF-UE0G181R KGM03ACG1H820JH 311-11-138-41-001000 4696-1224-N

BSC900N20NS3GATMA1

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其它名称

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