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GermanyDMP2100UCB9-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMP2100UCB9-7
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
详情
MOSFET - 阵列 20V 3A 800mW 表面贴装型 U-WLB1515-9
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 P 沟道（双）共源
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
310pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-UFBGA，WLBGA
供应商器件封装
U-WLB1515-9
基本产品编号
DMP2100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMP2100UCB9-7DICT
DMP2100UCB97
DMP2100UCB9-7DITR
DMP2100UCB9-7DIDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMP2100UCB9-7
相关文档
规格书
1(DMP2100UCB9)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
特色产品
1(Diodes Incorporated - DMN2023UCB4 and DMP2100UCB9 MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chgs 3/Feb/2021)
价格
-
替代型号
-