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GermanyFGH75T65SHDTLN4
元器件型号详细信息
原厂型号
FGH75T65SHDTLN4
摘要
FS3 T TO247 75A 650V 4WL
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 150 A 455 W 通孔 TO-247-4
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值
455 W
开关能量
1.06mJ（开），1.56mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
126 nC
25°C 时 Td（开/关）值
55ns/189ns
测试条件
400V，75A，15 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
36 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4
基本产品编号
FGH75
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FGH75T65SHDTLN4-488
FGH75T65SHDTLN4OS
2832-FGH75T65SHDTLN4-488
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH75T65SHDTLN4
相关文档
规格书
1(FGH75T65SHDTLN4)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(Dimension/Color Change 24/Feb/2021)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 08/Oct/2020)
PCN 封装
1(Packing quantity increase 28/Dec/2020)
HTML 规格书
1(FGH75T65SHDTLN4)
价格
-
替代型号
-