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GermanyBTS282Z E3180A
元器件型号详细信息
原厂型号
BTS282Z E3180A
摘要
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详情
表面贴装型 N 通道 49 V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-180
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TEMPFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
49 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
232 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4800 pF @ 25 V
FET 功能
温度检测二极管
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO220-7-180
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BTS282Z-E3180A
BTS282ZE3180AT-ND
BTS282ZE3180ATINTR
SP000399014
2156-BTS282Z E3180A-ITTR
BTS282ZE3180ATINTR-ND
BTS282ZE3180AINCT
SP000012360
BTS282ZE3180A
BTS282ZE3180AINTR-NDR
BTS282ZE3180AINDKR-NDR
BTS282ZE3180ANT
BTS282ZE3180ATINCT
IFEINFBTS282Z E3180A
BTS282ZE3180AATMA1
BTS282ZE3180AT
BTS282ZE3180ATINCT-ND
BTS282ZE3180AINCT-NDR
BTS282ZE3180AINTR
BTS282ZE3180AINDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BTS282Z E3180A
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价格
-
替代型号
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