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GermanyFDMA2002NZ_F130
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMA2002NZ_F130
摘要
INTEGRATED CIRCUIT
详情
MOSFET - 阵列 30V 2.9A 650mW 表面贴装型 6-MicroFET（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
散装
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
123 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
220pF @ 15V
功率 - 最大值
650mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）
基本产品编号
FDMA2002
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDMA2002NZ_F130
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