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GermanyBSR315PL6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSR315PL6327HTSA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC59-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
Product Status
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
620mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
800 毫欧 @ 620mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
176 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SC59-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSR315PL6327HTSA1TR
BSR315P L6327-ND
BSR315P L6327
SP000265405
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSR315PL6327HTSA1
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规格书
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Device Migration 01/Jul/2015)
价格
数量: 75000
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