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20260106
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FDN338P_G
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原厂型号
FDN338P_G
摘要
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 1.6A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
115 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
451 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
FDN338
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDN338P_G
相关文档
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 17/Apr/2017)
价格
-
替代型号
型号 : NTR4101PT1G
制造商 : onsemi
库存 : 110,116
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
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