元器件型号详细信息

原厂型号
RSJ650N10TL
摘要
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 65A(Ta) 100W(Tc) LPTS
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
13 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
65A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.1 毫欧 @ 32.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
260 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10780 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LPTS
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
RSJ650

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

RSJ650N10TLDKR
RSJ650N10TLCT
RSJ650N10TLTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Rohm Semiconductor RSJ650N10TL

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环保信息
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1(LPTS TL Taping Spec)
EDA 模型
1(RSJ650N10TL by Ultra Librarian)
仿真模型
1(RSJ650N10 Thermal Model)

价格

数量: 1000
单价: $28.51058
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $32.73436
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $37.5919
包装: 剪切带(CT)
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数量: 10
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1

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