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GermanyFDMS3660S-F121
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMS3660S-F121
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
详情
MOSFET - 阵列 30V 13A，30A 1W 表面贴装型 Power56
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A，30A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1765pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
Power56
基本产品编号
FDMS3660
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDMS3660S-F121CT
FDMS3660S_F121TR-ND
FDMS3660S-F121TR
FDMS3660S_F121CT
FDMS3660S_F121CT-ND
FDMS3660S_F121DKR-ND
FDMS3660S_F121
FDMS3660S_F121TR
FDMS3660S-F121DKR
FDMS3660S_F121DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDMS3660S-F121
相关文档
规格书
1(FDMS3660S)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
1(onsemi RoHS)
特色产品
1(Cloud Systems Computing)
PCN 产品变更/停产
1(EOL Notice 22/Feb/2017)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014)
HTML 规格书
1(FDMS3660S)
价格
-
替代型号
型号 : FDMS3660S
制造商 : onsemi
库存 : 3,040
单价. : ¥16.85000
替代类型. : 类似
库存 : 3,040
单价. : ¥16.85000
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