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GermanyMT3S20TU(TE85L)
元器件型号详细信息
原厂型号
MT3S20TU(TE85L)
摘要
RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM
详情
RF 晶体管 NPN 12V 80mA 7GHz 900mW 表面贴装型 UFM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
频率 - 跃迁
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
1.45dB @ 20mA，5V
增益
12dB
功率 - 最大值
900mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
100 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
3-SMD，扁平引线
供应商器件封装
UFM
基本产品编号
MT3S20
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
MT3S20TU (TE85L)
MT3S20TU(TE85L)DKR
MT3S20TUTE85L
MT3S20TU(TE85L)CT
MT3S20TU(TE85L)TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU(TE85L)
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL Apr/2021)
价格
-
替代型号
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单价. : ¥3.10000
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型号 : BFP842ESDH6327XTSA1
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型号 : MRF317
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库存 : 0
单价. : ¥833.78575
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型号 : HFA3102BZ
制造商 : Renesas Electronics America Inc
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单价. : ¥70.20000
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