元器件型号详细信息

原厂型号
NSS12200LT1G
摘要
TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 12 V 2 A 100MHz 460 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
2 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
12 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
180mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
250 @ 500mA,2V
功率 - 最大值
460 mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
基本产品编号
NSS12200

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

NSS12200LT1G-ND
NSS12200LT1GOSDKR
ONSONSNSS12200LT1G
2156-NSS12200LT1G-OS
NSS12200LT1GOSTR
NSS12200LT1GOSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/onsemi NSS12200LT1G

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规格书
1(NSS12200LT1G)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(SOT23 16/Sep/2016)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chg 21/Jun/2021)
HTML 规格书
1(NSS12200LT1G)
EDA 模型
()

价格

数量: 30000
单价: $1.08188
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.14104
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

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