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20250411
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元器件资讯
库存查询
BZX884S-B4V3YL
元器件型号详细信息
原厂型号
BZX884S-B4V3YL
摘要
DIODE ZENER 4.3V 365MW 2DFN
详情
二极管 - 齐纳 4.3 V 365 mW ±2.09% 表面贴装型 DFN1006BD-2
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
4.3 V
容差
±2.09%
功率 - 最大值
365 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
90 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
3 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900 mV @ 10 mA
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOD-882
供应商器件封装
DFN1006BD-2
基本产品编号
BZX884S-B4V3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
934661684315
1727-BZX884S-B4V3YLTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Nexperia USA Inc. BZX884S-B4V3YL
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规格书
1(BZX884S Series)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Parts obs 30/Jun/2022)
HTML 规格书
1(BZX884S Series)
价格
-
替代型号
型号 : BZX884S-B4V3-QYL
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 10,000
单价. : ¥2.94000
替代类型. : MFR Recommended
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