元器件型号详细信息

原厂型号
EFC6605R-V-TR
摘要
MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA
详情
MOSFET - 阵列 20V 10A(Ta) 1.6W(Ta) 表面贴装型 6-EFCP(1.9x1.46)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 N 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.6W(Ta)
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD,无引线
供应商器件封装
6-EFCP(1.9x1.46)
基本产品编号
EFC6605

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-EFC6605R-V-TR-OS
488-EFC6605R-V-TRCT
ONSONSEFC6605R-V-TR
EFC6605R-V-TR-ND
488-EFC6605R-V-TR
488-EFC6605R-V-TRDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi EFC6605R-V-TR

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